壓電陶瓷傳感器可以用于測量納米級（nm）至微米級（μm）的微小位移，主要基于逆壓電效應（施加電壓產生形變）或正壓電效應（位移引起電荷變化）。以下是詳細分析：

(1)逆壓電效應驅動（主動測量）

原理：在壓電陶瓷上施加電壓，其會產生微米/納米級形變，形變量與電壓成正比：

適用場景：

·精密定位（如掃描探針顯微鏡、光學調整）。

·閉環控制（結合位移反饋傳感器，如電容或激光干涉儀）。

(2)正壓電效應檢測（被動測量）

原理：當壓電陶瓷受到微小位移（如振動、壓力）時，其表面會產生電荷，電荷量與位移相關：

適用場景：

·動態位移測量（如振動傳感器、聲學檢測）。

·高分辨率但需電荷放大器（避免電荷泄漏）。